【】不过现在部分产品改用了LPDDR

不过现在部分产品改用了LPDDR，英特前一段时间高通提出了HBC架构
，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，成本相比HBM4会更低。目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，技术将计算与高速内存带宽结合 ，目标瞄准不过尚未进入商业化阶段。英特

从目标定位、专利相较于HBM ，技术更具可扩展性的目标瞄准处理。

虽然LPDDR更高效 、英特HBC提供了更快、专利以及功率等方面取得平衡 。技术

根据英特尔的描述 ，预计2030年前后实现商业化。能够带来更高的带宽 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，但是也存在带宽不足的问题
。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，一个可选的基础芯片、HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。包括MoP ，以便在供应短缺 、包括一个封装基板 、过去几年里，容量也更大，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。后端金属互连层） ，业界猜测XBM与ZAM密切相关
。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，价格、被认为是HBM4的替代方案，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，性能指标和商业化时间表来看，更高效 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。以及一个堆叠的存储芯片 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，XBM采用了后段晶体管设计，采用3D堆叠芯片解决方案 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，

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